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公司新聞

漢能科學家再獲全球最高學術獎項
2019-04-04
近日,電力和電子工程師協會(IEEE)公佈,第46届PVSC光伏專家大會授予漢能美國子公司Alta Devices聯合創始人、漢能集團科學家Harry Atwater教授“William R. Cherry光伏榮譽獎”。
 
William R. Cherry是光伏界的創始人之一,以他的名字設立的William R. Cherry獎創建於1980年,是業內最高級別學術獎項。該獎旨在表彰投身並致力於在提高光伏能源轉換領域、做出重大科技貢獻並極力宣導推廣相關科技的工程師或科學家個人。
 
 
Harry Atwater教授榮獲2019年William R. Cherry大獎
 
這也是繼2017年Alta Devices聯合創始人、集團資深專家Eli Yablonovitch教授因對太陽能電池器件物理科學與科技領域做出傑出貢獻,在第44届PVSC大會上捧得William R. Cherry大獎之後,漢能科學家再獲國際殊榮。一個團隊兩位重量級專家相繼獲得PV領域的權威大獎,充分證明了漢能Alta Devices在該領域的全球科技領先地位。
 
 
Eli Yablonovitch教授榮獲2017年William R. Cherry大獎
 
此次被提名的Harry Atwater是加州理工學院應用物理和材料科學霍華德·修斯教授(Howard Hughes Professor),是位於加州聖克拉拉的太陽能公司Alta Devices的聯合創建人之一。而Yablonovitch教授還憑藉傑出的科研成就當選為美國國家工程院、國家科學院、美國藝術與科學院院士,是倫敦皇家學會的外籍成員,並獲得了其他多項著名獎項。他與Harry Atwater教授等聯合創建了Alta Devices公司,致力於探索薄膜太陽能科技的科研與應用。
 
2014年,漢能全資並購了位於美國加州的Alta Devices,後者成為漢能旗下子公司。漢能Alta Devices致力於砷化鎵(GaAs)移動能源科技,具有高轉換效率,配以輕、薄、柔的特性,使薄膜太陽能芯片能够在不影響設計外觀的情况下,廣泛應用於汽車、無人機、無人駕駛系統、衛星、消費類電子產品、感測器、遠程探測等各類應用領域。
 
如今,漢能Alta Devices研發的高轉換率砷化鎵薄膜太陽能電池已被波音公司、美國宇航局等先後應用於平流層永飛無人機以及國際空間站太陽能利用測試,這一技術路線的商業化潜力備受矚目。隨著技術研發的持續突破以及商用產業化的不斷探索,Alta Devices也將為漢能在全球範圍內推廣薄膜太陽能科技、推動移動能源革命,提供更强大的科技支撐,奠定更加堅實的基礎。
 
至此,漢能砷化鎵雙結太陽能電池轉換率最高達到31.6%,並同時擁有砷化鎵單結太陽能電池效率29.1%和組件效率25.1%兩項世界紀錄,其中單結電池轉換效率的世界紀錄在2010年被Alta Devices突破,並連續6次被其團隊刷新,進一步奠定了漢能在高效太陽能薄膜電池領域的絕對領先地位。
 
自2009年進入薄膜太陽能領域以來,漢能就一直專注於核心技術的突破。漢能識到,未來能源的競爭是核心技術的競爭,誰掌握了核心技術,誰就掌握了能源。通過消化綜合和自主創新,漢能牢牢掌握了薄膜太陽能的科技話語權。此外,漢能還擁有包括優秀科學家在內的全球薄膜太陽能科技人員超過2000名,其中包括一大批國內外先進
半導體和太陽能領域的科學家。
 
此次,漢能Alta Devices資深專家再次獲業內最高級別獎項是對漢能薄膜太陽能科技全球領先性的充分肯定,漢能已經成為全球薄膜太陽能行業引領者,其不僅在科技上引領行業變革,還在科技產業化應用上也達到了世界級標準。未來漢能將繼續以薄膜太陽能科技為核心,用更多元化創新技術和產品引領一場全球範圍內的能源利用革命。