非晶硅/硅鍺技術

非晶硅和硅鍺均為硅的非結晶同素異形體,可在低溫下沉降於不同種類的薄膜襯底之上。它為各種電子產品提供了一些獨特的功能。與多晶硅(mc-Si)相比,非晶硅的電子表現較低,然而在實際運用中更具靈活性。例如,非晶硅層可以製作得比晶硅更薄,可節約更多的硅基材料成本。硅基的另一個顯著優勢在於其可在低溫下實現沉積(例如75℃),不僅能在玻璃上,而且能在廉價的塑膠上實現沉積,使之成為了軸對軸加工技術的最佳方案。沉積時,非晶硅可以類似多晶硅般摻雜其它物質,最終形成電子設備。非晶硅現已成為薄膜電晶體活躍層,液晶顯示幕(LCD)和薄膜電池及組件的核心原料。

非晶硅另一個優勢在於其可通過等離子增強化學氣相沉積(PECVD)實現大面積沉積。PECVD系統的設計將極大地影響非晶硅元件成本。因此,大多數設備提供商將重點放在設計製造高輸送量的PECVD設備以實現更低的生產成本。通過基於硅鍺串聯生產線自主研發Fab2.0系統的技術突破,本集團實現了薄膜發電元件的更高轉換效率,更低的生產成本(減少約9%),提升了薄膜發電組件的成本效益和競爭力。